第１章 TSV技術の新展開
1 期待の星、TSVによる積層3Dデバイス
2 TSV技術の現状
3 3種類のTSV基本構造
4 デバイスプロセスのどの工程でTSVを作るか
5 Via First、Before EFOL、Before BEOL、（Via Middle）
6 Via First-Before BEOL、環状タングステンビア
7 FEOLポリシリコン置換タングステンビア
8 Via First-マルチポスト、DRAM積層用
9 エルピーダ新構造ビアラスト裏ビア8GbDRAM
10 ビアラスト裏ビアNi無電解めっきDRAM
11 Via First・絶縁物保護裏面電極TSV
12 絶縁物保護裏面電極
13 Via Last、裏面非充填ビア、圧入接続
14 チップ、基板貫通電極接続3D-SiP
15 ポリSi-ビアミドル-ウェーハ積層後研磨
16 ロジック-メモリモジュール（コンセプト）
17 ドリームチップ-TSV国家戦略
18 Samsung 4チップTSV 8Gb DDR3
19 銅ビアミドル・薄チップtoウェーハ
20 オキサイドボンディング
21 C to W積層後裏面ビア作成
22 オキサイドボンディング - 銅電極も同時にボンデイング可能
23 SOIウェーハの積層
24 SOIウェーハ3枚の積層
25 酸化膜ボンディング - IBM
26 WOW（Wafer on Wafer）アライアンス
27 7ウェーハ積層 - WOWアライアンス
28 TSV付きフォトセンサ
29 3D CMOS TSVイメージセンサ
30 積層型CMOS TSVセンサ
31 3次元実装の先駆者 - TSVへの架け橋
32 システムオンTSVウェーハ（SoW）
33 シリコンインターポーザ
34 ワイヤレスTSVによる3次元集積
35 ワイヤレスTSVの原理
36 容量によるチップ間結合
37 Siによるチップ間伝送
38 ボッシュプロセスによる深掘りエッチング
39 非ボッシュ磁界強化イオンエッチング
40 非ボッシュプロセスのエッチング
41 Via Last - 裏面ビアプロセス
42 裏面ビアでの電極エッチストップ
43 裏面ビアでの歩留り向上対策
44 Via Last 裏面ビア−シングルTSV
45 Cu充填ビア内の膜構造と標準データ
46 めっき用シード層のスパッタリングがビア底部に届かない
47 めっき用シード膜延長技術 Seed Layer Enhancement
48 バリヤ、シード層のスパッタリング
49 イオン化スパッタリング
50 再スパッタリングによるビア被覆性向上
51 エレクトログラフテイング（接木）
52 エレクトログラフテイング断面
53 TSV無電解めっき
54 ボトムアップビアめっき
55 ボトムアップめっき - フォトレジ利用でバンプ作成 |
第２章 ビア加工技術の進展と問題点
1 TSVチップ、ウェーハ積層時の問題
2 テンプレートによるチップ積層プロセス、短TAT
3 DRAMチップ積層
4 TSVをどこに作るのか、既存チップの応用
5 ウェーハ上にTSVチップ積層
6 ウェーハ-チップスタック
7 ウェーハ3枚積層の歩留りパターン
8 プロトタイプ80コアCPUチップ＋SRAMチップ
9 TSVチップ・ウェーハ積層時の問題
10 チップ・基板貫通電極接続 3D-SiP
11 異サイズチップの積層
12 TSVピッチ整合用再配線
13 プロセッサの3D用パターン再設計
14 In圧入マイクロバンプ
15 Cu-Sn 高温マイクロバンプ
16 TSVウェーハのコスト（CoO：Cost of Ownership）低減予想SEMATECHモデル
17 TSVの加工費内訳
18 充填めっきに長時間が必要
19 TSVの加工コストの議論
20 ホンダの積層チップ
21 TSV積層の選択肢とコスト発生
22 低コスト裏面ビアプロセス
23 CVDパリレン膜による絶縁膜
24 パリレンによるビア絶 縁
25 テーパビア・樹脂スプレーコート
26 ローコストTSV構造コンセプト
27 ローコスト積層構造コンセプト
28 ポリシリコンビアの抵抗・直線性
29 リングビアの抵抗値
30 ビアのSGS等価回路
31 ビアの高周波特性 - S21
32 高周波特性の比抵抗、酸化膜厚依存性
33 ビアの高周波特性 - アイパターン
34 高周波用同軸構造TSV
35 同軸ビアと非同軸ビアの高周波特性
36 プロトタイプ80コアCPU - TSV付きSRAM
37 CPU-メモリのTSV積層
38 TSV-DRAMチップ積層パッケージ
39 積層構造の熱抵抗値
40 積層構造の動作時温度分布
41 チップ直接液体放熱（シングルチップ）
42 マイクロ液冷積層構造 TSFV
43 マイクロ液冷接続部構造
44 マイクロ液冷表面横方向チャネル
45 TSV積層構造と放熱環境
46 TSV付き3チップ積層構造の熱抵値
47 TSV付き3チップ積層構造の熱抵
48 Cuビアによる変形とストレス
49 ホットスポットが重ならないように |
